青铜剑科技携SiC MOSFET驱动产品亮相第二届电气化交通前沿技术论坛
2018-06-22 11:12

6月22-23日,第二届电气化交通前沿技术论坛在清华大学举行,活动由清华大学和中车株洲电力车研究所有限公司联合主办,青铜剑科技作为协办单位出席活动并做主题演讲。

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本届论坛共有来自国内外高校、研究机构和企业的240余名专家学者参加。中国科学院院士、清华大学汽车安全与节能国家重点实验室主任欧阳明高教授担任大会主席。大会通过主旨报告和专题研讨的形式,探讨在新材料、新器件、新能源发展下电气化交通中的科学问题与关键技术,包括电动汽车、电力推进船舶、轨道交通中的电力电子器件及变换器技术、新型电机及电力传动技术、储能及新能源发电技术、供电及电力系统技术等。

青铜剑科技研发总监黄辉在《SiC MOSFET器件应用及其驱动技术》的主题演讲中,向与会嘉宾介绍了SiC器件的特点和优势、SiC MOSFET应用、SiC MOSFET驱动关键技术以及青铜剑科技推出的SiC MOSFET驱动方案。

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在电动汽车领域,SiC MOSFET主要应用在电驱、OBC车载充电器和DC/DC变换器。将传统的硅IGBT或者MOSFET器件更换为SiC MOSFET可有效减少母线支撑电容的容值和体积、输出滤波器尺寸和变压器体积,并提升系统效率和功率密度。例如采用SiC器件的电驱可以节省41%的体积和32%的重量。

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青铜剑科技针对不同厂家的SiC器件配套推出了对应SiC驱动方案,产品具有高驱动电源功率、低信号传输延时、合适的开通及关断电压、米勒钳位负压关断和快速短路保护响应的特点,可满足新能源汽车对车用器件的严苛需求。

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电气化交通前沿技术论坛是国内第一个面向电气化交通领域的跨学科、交叉型、开放性论坛,得到了国内高校、科研机构和企业的积极响应,并得到IEEE的高度认可,目前是IEEE旗下的唯一一个以电气化交通为主题的开放性学术论坛。